ଡାଇନାମିକ୍ ସ୍କାନିଂ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ ଅପ୍ଟିକ୍ସ: 1pc ଛୋଟ ଫୋକସ୍ ଲେନ୍ସ, 1-2pc ଫୋକସ୍ ଲେନ୍ସ, ଗାଲଭୋ ମିରର୍। ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଲେନ୍ସ ବିମ୍ ବିସ୍ତାର, ଫୋକସ୍ ଏବଂ ବିମ୍ ଡିଫ୍ଲେକ୍ସନ୍ ଏବଂ ସ୍କାନିଂର ଏକ କାର୍ଯ୍ୟ ଗଠନ କରେ।
ବିସ୍ତାରିତ ଅଂଶ ହେଉଛି ଏକ ନକାରାତ୍ମକ ଲେନ୍ସ, ଅର୍ଥାତ୍ ଛୋଟ ଫୋକସ୍ ଲେନ୍ସ, ଯାହା ବିମ୍ ବିସ୍ତାର ଏବଂ ଗତିଶୀଳ ଜୁମ୍ ଅନୁଭବ କରେ, ଫୋକସ୍ କରୁଥିବା ଲେନ୍ସଟି ପଜିଟିଭ୍ ଲେନ୍ସର ଏକ ଗୋଷ୍ଠୀକୁ ନେଇ ଗଠିତ। ଗାଲଭୋ ଦର୍ପଣ ହେଉଛି ଗାଲଭାନୋମିଟର ସିଷ୍ଟମରେ ଦର୍ପଣ।
(୧) ଲେନ୍ସ ଡିଜାଇନର ଅପ୍ଟିମାଇଜେସନ୍: ବ୍ୟାସ ଏବଂ ଘନତା ଅନୁପାତର ସର୍ବୋତ୍ତମ ଅନୁପାତ
(2) ଲେନ୍ସର ଉଚ୍ଚ କ୍ଷତି ସୀମା:>30J/cm2 10ns
(3) ଅତ୍ୟଧିକ-ନିମ୍ନ ଅବଶୋଷଣ ଆବରଣ, ଅବଶୋଷଣ ହାର: <20ppm
(୪) ଗାଲଭାନୋମିଟର ଘନତା ଏବଂ ବ୍ୟାସ ଅନୁପାତ: ୧:୩୫
(5) ଲେନ୍ସ ପୃଷ୍ଠ ସଠିକତା:<= λ/5
ଉତ୍ତର-ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ଲେନ୍ସ
ସର୍ବାଧିକ ପ୍ରବେଶ ଛାତ୍ର (ମିମି) | ଅପ୍ଟିକ୍ସ 1 ବ୍ୟାସ(ମିମି) | ଅପ୍ଟିକ୍ସ 2 ବ୍ୟାସ(ମିମି) | ଅପ୍ଟିକ୍ସ 3 ବ୍ୟାସ(ମିମି) | ସ୍କାନ୍ ଫିଲ୍ଡ (ମିମି) | ସଫା ଆପେର୍ଚର ସ୍କାନରର (ମିମି) | ତରଙ୍ଗଦୈର୍ଘ୍ୟ |
8 | 15 | 55 | 55 | ୬୦୦x୬୦୦ ୮୦୦x୮୦୦ | 30 | ୧୦.୬ଅମ୍ |
12 | 22 | 55 | 55 | ୧୬୦୦x୧୬୦୦ | 30 | |
8 | 16 | 55 | 55 | ୬୦୦x୬୦୦ ୮୦୦x୮୦୦ | 30 | ୧୦୩୦-୧୦୯୦ ଏନଏମ |
8 | 15 | 35 | 35 | ୩୦୦x୩୦୦ | 10 | ୫୩୨ ଏନଏମ |
8 | 15 | 35 | 35 | ୩୦୦x୩୦୦ | 10 | ୩୫୫ ଏନଏମ |
ପ୍ରତିଫଳକ ଦର୍ପଣ
ଅଂଶ ବର୍ଣ୍ଣନା | ବ୍ୟାସ(ମିମି) | ମୋଟେଇ(ମିମି) | ସାମଗ୍ରୀ | ଆବରଣ |
ସିଲିକନ୍ ପ୍ରତିଫଳକ | ୨୫.୪ | 3 | ସିଲିକନ୍ | HR@10.6um,AOI: ୪୫° |
ସିଲିକନ୍ ପ୍ରତିଫଳକ | 30 | 4 | ସିଲିକନ୍ | HR@10.6um,AOI: ୪୫° |
ଫାଇବର ପ୍ରତିଫଳକ | ୨୫.୪ | ୬.୩୫ | ଫ୍ୟୁଜଡ୍ ସିଲିକା | HR@1030-1090nm, AOI: 45° |
ଫାଇବର ପ୍ରତିଫଳକ | 30 | 5 | ଫ୍ୟୁଜଡ୍ ସିଲିକା | HR@1030-1090nm, AOI: 45° |
ଫାଇବର ପ୍ରତିଫଳକ | 50 | 10 | ଫ୍ୟୁଜଡ୍ ସିଲିକା | HR@1030-1090nm, AOI: 45° |
୫୩୨ ପ୍ରତିଫଳକ | ୨୫.୪ | 6 | ଫ୍ୟୁଜଡ୍ ସିଲିକା | HR@515-540nm/532nm, AOI: 45° |
୫୩୨ ପ୍ରତିଫଳକ | ୨୫.୪ | ୬.୩୫ | ଫ୍ୟୁଜଡ୍ ସିଲିକା | HR@515-540nm/532nm, AOI: 45° |
୫୩୨ ପ୍ରତିଫଳକ | 30 | 5 | ଫ୍ୟୁଜଡ୍ ସିଲିକା | HR@515-540nm/532nm, AOI: 45° |
୫୩୨ ପ୍ରତିଫଳକ | 50 | 10 | ଫ୍ୟୁଜଡ୍ ସିଲିକା | HR@515-540nm/532nm, AOI: 45° |
୩୫୫ ରିଫ୍ଲେକ୍ଟର୍ | ୨୫.୪ | 6 | ଫ୍ୟୁଜଡ୍ ସିଲିକା | HR@355nm&433nm, AOI: 45° |
୩୫୫ ରିଫ୍ଲେକ୍ଟର୍ | ୨୫.୪ | ୬.୩୫ | ଫ୍ୟୁଜଡ୍ ସିଲିକା | HR@355nm&433nm, AOI: 45° |
୩୫୫ ରିଫ୍ଲେକ୍ଟର୍ | ୨୫.୪ | 10 | ଫ୍ୟୁଜଡ୍ ସିଲିକା | HR@355nm&433nm, AOI: 45° |
୩୫୫ ରିଫ୍ଲେକ୍ଟର୍ | 30 | 5 | ଫ୍ୟୁଜଡ୍ ସିଲିକା | HR@355nm&433nm, AOI: 45° |
ଗାଲଭୋ ମିରର୍
ଅଂଶ ବର୍ଣ୍ଣନା | ସର୍ବାଧିକ ପ୍ରବେଶ ଛାତ୍ର (ମିମି) | ସାମଗ୍ରୀ | ଆବରଣ | ତରଙ୍ଗଦୈର୍ଘ୍ୟ |
୫୫ମିମିଲିଟର*୩୫ମିମିପବ୍ଲିଟର*୩.୫ମିମିଟ-X ୬୨ମିମିଲିଟର*୪୩ମିମିପବ୍ଲିଟର*୩.୫ମିମିଟ-ୱାଇ | 30 | ସିଲିକନ୍ | MMR@10.6um | ୧୦.୬ଅମ୍ |
୫୫ମିମିଲିଟର*୩୫ମିମିପବ୍ଲିଟର*୩.୫ମିମିଟ-X ୬୨ମିମିଲିଟର*୪୩ମିମିପବ୍ଲିଟର*୩.୫ମିମିଟ-ୱାଇ | 30 | ଫ୍ୟୁଜଡ୍ ସିଲିକା | HR@1030-1090nm | ୧୦୩୦-୧୦୯୦ ଏନଏମ |
୫୫ମିମିଲିଟର*୩୫ମିମିପବ୍ଲିଟର*୩.୫ମିମିଟ-X ୬୨ମିମିଲିଟର*୪୩ମିମିପବ୍ଲିଟର*୩.୫ମିମିଟ-ୱାଇ | 30 | ଫ୍ୟୁଜଡ୍ ସିଲିକା | HR@532nm | ୫୩୨ ଏନଏମ |
୫୫ମିମିଲିଟର*୩୫ମିମିପବ୍ଲିଟର*୩.୫ମିମିଟ-X ୬୨ମିମିଲିଟର*୪୩ମିମିପବ୍ଲିଟର*୩.୫ମିମିଟ-ୱାଇ | 30 | ଫ୍ୟୁଜଡ୍ ସିଲିକା | HR@355nm | ୩୫୫ ଏନଏମ |
ସୁରକ୍ଷାାତ୍ମକ ଲେନ୍ସ
ବ୍ୟାସ(ମିମି) | ମୋଟେଇ (ମିମି) | ସାମଗ୍ରୀ | ଆବରଣ |
75 | 3 | ZnSeKCharselect unicode block name | AR/AR@10.6um |
80 | 3 | ZnSeKCharselect unicode block name | AR/AR@10.6um |
90 | 3 | ZnSeKCharselect unicode block name | AR/AR@10.6um |
୯୦x୬୦ | 5 | ZnSeKCharselect unicode block name | AR/AR@10.6um |
୯୦x୬୪ | ୨.୫ | ZnSeKCharselect unicode block name | AR/AR@10.6um |
90x70 | 3 | ZnSeKCharselect unicode block name | AR/AR@10.6um |